[发明专利]一种以氧杂蒽酮为核心的化合物、其制备方法及其在OLED上的应用

摘要

本发明公开了一种以氧杂蒽酮为核心的化合物、其制备方法及其在OLED上的应用，该化合物含有氧杂蒽酮结构，且五元环支链结构上至少有一个N；母核和支链形成D‑A结构，具有小的△Est，有利于能量的反隙间蹿越，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，适合作为空穴阻挡材料或电子传输材料应用；本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用；另外，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点。作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。

主权项

1.一种以氧杂蒽酮为核心的化合物，其特征在于，该化合物的结构如通式(1)所示：其中，L表示为单键、经取代或未经取代的C₆至C₃₀的亚芳基、经取代或未经取代的C₅至C₃₀的亚杂芳基中的一种；R₁表示为通式(2)所示结构：R₂、R₃分别独立地选自H、通式(3)或通式(4)所示结构，R₂、R₃不同时为H；其中，通式(2)、通式(3)和通式(4)中，X表示为N或CH，且X表示为N的个数为1或2；通式(3)或通式(4)与通式(2)中的C_L1‑C_L2键、C_L2‑C_L3键、C_L3‑C_L4键、C_L‘1‑C_L’2键、C_L‘2‑C_L’3键或C_L‘3‑C_L’4键相连；*表示与C_L1‑C_L2键、C_L2‑C_L3键、C_L3‑C_L4键、C_L‘1‑C_L’2键、C_L‘2‑C_L’3键或C_L‘3‑C_L’4键的连接位点；Y表示为O、S、C_1‑10直链或支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的亚胺基或芳基取代的亚胺基中的一种。