[发明专利]一种基于二氰基荧蒽的非掺杂空穴传输材料有效
| 申请号： | 201810330943.9 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108675941B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李忠安;孙祥浪;肖奇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C07C253/30 | 分类号： | C07C253/30;C07C221/00;C07C225/22;C07C211/61;C07C209/68;C07C213/08;C07C217/92;C07D219/14;C07D279/26;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 夏惠忠 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非掺杂空穴传输材料，它是带有两个苯胺类给电子基团的二氰基荧蒽。本发明提供的这种材料可应用于正式平面结构钙钛矿太阳能电池中，也可用于反式平面结构钙钛矿太阳能电池中。本发明提供的这种非掺杂空穴传输材料合成过程简单，空穴迁移率高，作为非掺杂空穴传输材料应用于有机无机杂化钙钛矿太阳能电池正式平面结构中，最高能量转化效率可以达到18.03％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二氰基荧蒽 掺杂 空穴 传输 材料 | ||
【主权项】：
1.一种非掺杂空穴传输材料，其特征在于，它是带有两个苯胺类给电子基团的二氰基荧蒽。
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