[发明专利]高性能存储器中的循环内位线恢复有效
| 申请号： | 201810311333.4 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN109801657B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | V·布林格维加拉加万;G·M·布莱斯拉斯 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高性能存储器中的循环内位线恢复。本公开涉及一种结构，其包括至少一个位线恢复器件，该位线恢复器件被配置为在读取操作与写入操作之间的循环内时间期间将位线预充电至特定电压，并且被配置为在读取操作与写入操作期间被关断。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 存储器 中的 循环 内位线 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括至少一个位线恢复器件，其被配置为在读取操作与写入操作之间的循环内时间期间将位线预充电至特定电压，并且被配置为在所述读取操作和所述写入操作期间被关断。
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