[发明专利]砷化镓单晶的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 201810274694.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108624948B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;李超;高鹏飞;刘运连 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓单晶的生长装置，该生长装置包括用于放置原料的一内坩埚、用于支撑内坩埚的一坩埚托、一外坩埚、一支撑管、一支撑台、一石英罩以及用于给内坩埚加热的一加热器，加热器通过一支架安装在一导轨上，加热器和支架能够沿着导轨移动，内坩埚放置在坩埚托上，所述坩埚托和内坩埚密封在外坩埚中，坩埚托包括第一部分和第二部分，所述第一部分支撑内坩埚的放肩部位，第二部分支撑第一部分，第一部分和第二部分的导热系数不同，支撑管的一端插设于支撑台内固定，支撑管的另一端垂直支撑于外坩埚底端，将外坩埚固定在支撑管上，石英罩与支撑台形成一密闭空间，外坩埚和支撑管置于密闭空间内。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓单晶 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓单晶的生长装置，其特征在于：该生长装置包括用于放置原料的一内坩埚、用于支撑内坩埚的一坩埚托、一外坩埚、一支撑管、一支撑台、一石英罩以及用于给内坩埚加热的一加热器，所述加热器通过一支架安装在一导轨上，所述加热器和支架能够沿着导轨移动，所述内坩埚放置在坩埚托上，所述坩埚托和内坩埚密封在外坩埚中，所述坩埚托包括第一部分和第二部分，所述第一部分支撑内坩埚的放肩部位，所述第二部分支撑第一部分，所述第一部分和第二部分的导热系数不同，所述支撑管的一端插设于支撑台内固定，所述支撑管的另一端垂直支撑于外坩埚底端，将外坩埚固定在支撑管上，所述石英罩与支撑台形成一密闭空间，所述外坩埚和支撑管置于密闭空间内。
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