[发明专利]静态随机存取存储器（SRAM）在审
| 申请号： | 201810270384.7 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108428465A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈品翰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，包括由6个传输MOS组成的写单元和2个传输MOS组成的读单元，述读单元由串联的第一PMOS P1和第二PMOS P2组成。所述读单元的第一PMOS P1第一端作为该读单元的第一端，第一PMOS P1的第二端作为该读单元的第二端，第一PMOS P1的第三端连接第二PMOS P2的第一端，第二PMOS P2的第二端作为该读单元的第三端连接写单元，第二PMOS P2的第三端作为该读单元的第四端连接地。本发明能避免由于RPBL(读单元的位线)漏电流过大造成的讯号读取错误判断。 | ||
| 搜索关键词： | 读单元 第一端 静态随机存取存储器 写单元 传输 漏电 错误判断 讯号读取 位线 串联 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器(SRAM)，包括由6个传输MOS组成的写单元和2个传输MOS组成的读单元，其特征在于：所述读单元由串联的第一PMOS(P1)和第二PMOS(P2)组成。
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