[发明专利]一种超大面阵CMOS图像传感器结构有效
| 申请号： | 201810267550.8 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108521549B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郭仲杰;汪西虎;吴龙胜 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/357 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超大面阵CMOS图像传感器结构，包括感光面阵、行驱动、列偏置、读出、控制器、电流偏置和可配置DAC；感光面阵的驱动由左右两侧分别设置行驱动，上方设置用于提供像元偏置的列偏置，下方设置读出电路；读出电路包括列级读出电路和输出级读出电路；控制器用于曝光、转换、采样、放大与读出操作的时序控制，还用于感光面阵与读出电路的协调控制，以及曝光时间与DAC的配置；电流偏置用于对整个系统中电流偏置信号的输送，电流偏置信号包括列偏置、可配置DAC、列级读出电路与输出级读出电路的输出信号；可配置DAC用于列级读出电路与输出级读出电路的校正；从而降低后级读出电路对系统噪声的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面 cmos 图像传感器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种超大面阵CMOS图像传感器结构，其特征在于，包括感光面阵、行驱动、列偏置、读出、控制器、电流偏置和可配置DAC；所述感光面阵的驱动由左右两侧分别设置行驱动；感光面阵的上方设置用于提供像元偏置的列偏置；感光面阵的下方设置读出电路；读出电路包括列级读出电路和输出级读出电路，列级读出电路包括列级采样放大模块与列缓冲级，输出级读出电路包括第二级相关双采样模块与输出缓冲级；列级采样放大模块的输入端连接感光面阵的光电转换信号；列级采样放大模块的输出信号经列缓冲级送到第二级相关双采样模块；第二级相关双采样模块的处理结果通过输出缓冲级输出；所述控制器用于曝光、转换、采样、放大与读出操作的时序控制，还用于感光面阵与读出电路的协调控制，以及曝光时间与DAC的配置；所述电流偏置用于对整个系统中电流偏置信号的输送，电流偏置信号包括列偏置、可配置DAC、列级读出电路与输出级读出电路的输出信号；所述可配置DAC用于列级读出电路与输出级读出电路的校正。
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