[发明专利]等离子体源机构及薄膜形成装置在审
| 申请号： | 201810265405.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110318028A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 菅原卓哉;宫内充祐;长江亦周 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张印铎 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体源机构 薄膜形成装置 天线部 真空槽 所在区域 天线组件 等离子源 电介质部 高频电力 无重叠 放电 壳体 施加 体内 配置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体源机构，其能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；其特征在于，所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。
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