[发明专利]一种LSPR可调的Ag/Cu2S共溅射SERS活性基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201810262901.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108459006A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 杨景海;张馨元;陈雷;刘洋;张永军;王雅新 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 李泉宏 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LSPR可调的Ag/Cu2S共溅射SERS活性基底及其制备方法，属于复合纳米功能材料技术领域。针对现有技术缺少一种能够很好的实现LSPR精确调节的SERS基底，本发明公开了一种LSPR可调的Ag/Cu2S共溅射SERS活性基底，该基底为一种贵金属Ag与半导体Cu2S复合的材料。利用磁控溅射，在聚苯乙烯胶体微球上共溅射生长Ag和Cu2S薄膜，以形成均一稳定的二维周期性结构阵列。该方法操作过程简单、制备成本低廉、应用范围广泛等优点，实现了LSPR精确调控，可以在确定拉曼检测激发光波长的情况下，通过对基底LSPR的精确调控，以此得到更强的拉曼信号，具有较大的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 共溅射 可调的 制备 精确调控 聚苯乙烯胶体微球 二维周期性结构 功能材料技术 激发光波长 操作过程 磁控溅射 复合纳米 拉曼检测 拉曼信号 贵金属 均一 半导体 复合 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种LSPR可调的Ag/Cu2S共溅射SERS活性基底，其特征在于，该基底为贵金属Ag与半导体Cu2S复合的材料，所述复合材料的形貌为紧密排列、均匀规则的球形颗粒阵列，粒径大小为200nm；Ag与Cu2S的复合摩尔比为1:14～10。
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