[发明专利]一种低等效串联电阻小型晶片制作方法及系统在审
| 申请号： | 201810262133.4 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108512518A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋振声;刘青健;威廉·比华;李小菊 | 申请（专利权）人： | 应达利电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福永*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低等效串联电阻小型晶片制作方法，首先在整个大尺寸的石英晶片的两面各形成一层金属保护膜，然后用激光按照预设的矩阵布局在两面保护膜上去膜开孔，形成一定形状和面积的一维或二维矩阵排列的小晶片布局，然后用腐蚀液从这些开孔处进行浅腐蚀。接着依次进行激光去膜、深腐蚀，产生若干个两端或四边变薄而中央部位突出的小晶片，最后将各个小晶片上的剩余金属保护膜去掉，最终形成大量ESR小型晶片。该制作方法简单，适用于大规模生产，且可以得到大量更优质的低成本ESR小晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 小晶片 低等效串联电阻 晶片制作 保护膜 激光 腐蚀 四边 金属保护膜 二维矩阵 矩阵布局 剩余金属 石英晶片 低成本 腐蚀液 开孔处 变薄 晶片 开孔 去膜 预设 制作 | ||
【主权项】：
1.一种低等效串联电阻小型晶片制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一大尺寸晶片的两面各溅射一层保护膜，按照预设的矩阵布局，利用激光去除所述大尺寸晶片上对应的矩阵点的保护膜；对所述大尺寸晶片上已去除保护膜的矩阵点进行腐蚀，以使其被腐蚀薄；利用激光去除所述大尺寸晶片上与已去除保护膜的矩阵点相邻部位的一部分保护膜；对所述大尺寸晶片上已去除保护膜的矩阵点进行腐蚀，使其腐蚀穿形成开孔，以便将所述大尺寸晶片分解成矩阵排列的若干边缘薄而中央部位还有保护膜的小型晶片；利用金属腐蚀技术去除各个所述小型晶片上的剩余保护膜，形成两端或四边薄而中央厚的低等效串联电阻小型晶片。
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