[发明专利]一种超厚立方AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810261965.4 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108441818A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 曾宇乔;莫丹;杨志;季宝荣;朱奎;郑云西;肖敬才;李娟;张旭海;邵起越;蒋建清 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C23C28/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超厚立方AlN薄膜的制备工艺及参数。先采用磁控溅射的方法，在500‑700摄氏度范的基底上沉积氮化钛和AlN的多层涂层。沉积过程中衬底温度保持恒定，氮化钛涂层厚度为2‑10nm，AlN涂层厚度为1‑5nm。再将沉积获得的纳米复合涂层在真空条件下1000‑1100摄氏度进行0.5‑5小时的热处理，即可获得立方氮化钛‑立方AlN的多层涂层。其中单层立方AlN厚度最厚可达5nm，且在1150摄氏度的高温条件下可长期稳定存在。 | ||
| 搜索关键词： | 立方AlN 沉积 多层涂层 氮化钛 超厚 薄膜 恒定 纳米复合涂层 氮化钛涂层 热处理 长期稳定 磁控溅射 高温条件 温度保持 真空条件 制备工艺 衬底 单层 基底 制备 | ||
【主权项】：
1.一种超厚立方AlN薄膜的制备方法，其特征在于：利用真空沉积技术在基片表面沉积具有调制周期和厚度比的TiN和AlN的纳米多层涂层；再将沉积获得的纳米复合涂层在真空条件下进行高温热处理，获得立方TiN‑立方AlN多层涂层。
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