[发明专利]一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块在审
| 申请号： | 201810255555.9 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108649772A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 曹瀚;宁圃奇;李磊;温旭辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，由上、下两个桥臂组成，每个桥臂由2个型号相同的Si IGBT芯片、1个SiC MOSFET芯片和1个Si二极管芯片并联组成。所述混合电力电子模块中的上桥臂IGBT的集电极、MOSFET的漏极和二极管的阴极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的阳极功率端子相连；IGBT的发射极、MOSFET的源极和二极管的阳极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的中性点端子相连；下桥臂结构与上桥臂对称，下桥臂的IGBT集电极、MOSFET漏极与二极管阴极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的中性点相连，IGBT的发射极、MOSFET的源极和二极管的阳极连接在一起，并与所述混合电力电子模块的阴极功率端子相连。 | ||
| 搜索关键词： | 电子模块 混合电力 二极管 阳极连接 发射极 集电极 上桥臂 下桥臂 中性点 漏极 桥臂 源极 阴极 二极管芯片 二极管阴极 并联组成 功率端子 阴极功率 阳极 对称 | ||
【主权项】：
1.一种Si IGBT和SiC MOSFET的混合电力电子模块，其特征在于：所述的混合电力电子模块是一种单相桥式模块，由上、下两个桥臂组成，每个桥臂由2个型号相同的Si IGBT芯片、1个SiC MOSFET芯片和1个Si二极管芯片并联组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810255555.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：矿业专用变频器
- 下一篇：变流系统和散热装置及风力发电机组
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
