[发明专利]一种导电薄膜以及提升导电薄膜导电性的方法在审
申请号: | 201810241317.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108550424A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 杨柏儒;翁明;许钰旺;陈鹏;张伟;李京周;王毓成;邱景燊;柳成林 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 左恒峰 |
地址: | 528399 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种导电薄膜,通过采用金属氧化物溶胶将金属纳米线网格的结点包覆,使得金属纳米线之间的连接更加密切,减小导电薄膜的片电阻;本发明的一种提升导电薄膜导电性的方法,第一次先利用微波对导电薄膜进行处理,使金属纳米线之间结电阻大的结点熔接起来,降低导电薄膜的片电阻;第二次是将金属氧化物溶胶涂布在微波处理后的导电薄膜上,借助导电薄膜退火时金属氧化物与衬底发生粘附作用,使得金属纳米线未熔接的地方搭接得更加紧密,此外金属氧化物还可以作为导电薄膜的电子传传输层,结电阻较大的地方可以通过氧化物半导体层传输电子,从而减小导电薄膜片电阻,通过两次处理使得导电薄膜的片电阻降低,提高了导电薄膜的导电性。 | ||
搜索关键词: | 导电薄膜 金属纳米线 导电性 片电阻 金属氧化物溶胶 金属氧化物 结电阻 减小 结点 熔接 氧化物半导体层 退火 导电薄膜片 传输电子 微波处理 传输层 包覆 衬底 次先 搭接 电阻 网格 粘附 微波 | ||
【主权项】:
1.一种导电薄膜,其特征在于:包括金属纳米线(1),所述金属纳米线(1)交叉构成金属纳米线网格,还包括将金属纳米线网格上的交叉点压紧的金属氧化物溶胶(2),所述金属纳米线网格包括由金属纳米线(1)交叉形成的结点,所述金属氧化物溶胶(2)包覆在结点四周。
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