[发明专利]一种变阻尼器磁路结构在审
申请号: | 201810239194.9 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108343697A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 高坤 | 申请(专利权)人: | 徐州通用高新磁电有限公司 |
主分类号: | F16F9/32 | 分类号: | F16F9/32;F16F9/53 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 梁永昌 |
地址: | 221137 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种变阻尼器磁路结构,包括活塞缸,所述活塞缸内设有活塞杆,所述活塞杆外套设有活塞,所述活塞与所述活塞缸内壁紧密接触,所述活塞中部设有横向隔断,所述横向隔断的上下两侧分别设有一个凹陷部,将所述活塞分为上部和下部,所述上部缠绕有第一线圈,所述下部缠绕有第二线圈,所述第一线圈与第二线圈连接有反向电流,所述活塞缸内填充有磁流变液。本发明在活塞上缠绕多个励磁线圈,可以增大磁通量的大小,活塞的有效长度也会增大,磁路会变的更加均匀;两级线圈同向电流与反向电流时,磁场利用率最高,阻尼力会有显著提升。 | ||
搜索关键词: | 活塞 活塞缸 缠绕 变阻尼器 磁路结构 反向电流 横向隔断 活塞杆 磁场利用率 磁流变液 励磁线圈 两级线圈 上下两侧 同向电流 线圈连接 有效长度 凹陷部 磁通量 阻尼力 磁路 内壁 填充 | ||
【主权项】:
1.一种变阻尼器磁路结构,包括活塞缸,所述活塞缸内设有活塞杆,所述活塞杆外套设有活塞,所述活塞与所述活塞缸内壁紧密接触,其特征在于:所述活塞中部设有横向隔断,所述横向隔断的上下两侧分别设有一个凹陷部,将所述活塞分为上部和下部,所述上部缠绕有第一线圈,所述下部缠绕有第二线圈,所述第一线圈与第二线圈连接有反向电流,所述活塞缸内填充有磁流变液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州通用高新磁电有限公司,未经徐州通用高新磁电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810239194.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。