[发明专利]一种新型氮氧化物传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明公开一种两腔室双电池型氮氧化物传感器芯片及其制备方法，第一基片层的正反面分别印刷有外电极和非活性电极；第三基片层正面印刷有活性电极，且活性电极表面印刷有扩散障碍层；第四基片层正面印刷有参考电极；第五基片层正面印刷有加热电阻，且加热电阻上下两侧均印刷有绝缘层，同时加热电阻与第六基片层反面的引脚相连。将各层流延基片叠合后，形成芯片坯材，切割坯材形成单个芯片生坯；烧结单个芯片生坯，制得两腔室双电池型氮氧化物传感器，本发明具有制作简单和成本低廉的特点，所制备的氮氧化物传感器芯片能准确测量氧气和氮氧化物含量。

主权项

1.一种新型氮氧化物传感器芯片，其特征在于：包括从上向下依次堆叠的第一基片层、第二基片层、第三基片层、第四基片层、第五基片层和第六基片层；所述第一基片层的正反面分别印刷有外电极和非活性电极；第三基片层正面印刷有一组两个完全对称设置的第一活性电极和第二活性电极，且这两个活性电极表面均用多孔浆料印刷有扩散障碍层以形成稳态极限电流；第四基片层正面印刷有参考电极；第五基片层正面印刷有加热电阻，且加热电阻上下两侧均印刷有绝缘层，同时加热电阻与第六基片层反面的引脚相连；其中，所述非活性电极与两个活性电极之间通过已冲孔的第二基片层分隔开并形成第一腔室和第二腔室，非活性电极位于第一腔室，第一活性电极和第二活性电极位于第二腔室中，非活性电极引线至外电极形成极限电流型电池，第一活性电极和第二活性电极分别引线至参考电极形成氮氧化物浓差型双电池。