[发明专利]形成层的方法及使用该层制造可变电阻存储器件的方法有效
| 申请号： | 201810239016.6 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108630809B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朴正熙;金暻善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在半导体制造中形成目标层的方法，该方法包括以下步骤：通过执行第一处理至少一次来形成第一层，以及通过执行第二处理至少一次来形成第二层，其中，第一处理可以包括供给第一源气体、供给第二源气体若干次以及供给惰性气体若干次。 | ||
| 搜索关键词： | 形成层 方法 使用 制造 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于半导体器件的目标层的方法，包括执行单位处理至少一次，其中，所述单位处理包括：通过执行第一处理至少一次来在衬底上形成第一层；和通过执行第二处理至少一次来在第一层上形成第二层，其中，所述第一处理包括以下步骤：供给第一源气体；供给第二源气体若干次；和供给惰性气体若干次。
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