[发明专利]形成层的方法及使用该层制造可变电阻存储器件的方法

说明书

公开了一种在半导体制造中形成目标层的方法，该方法包括以下步骤：通过执行第一处理至少一次来形成第一层，以及通过执行第二处理至少一次来形成第二层，其中，第一处理可以包括供给第一源气体、供给第二源气体若干次以及供给惰性气体若干次。

对相关申请的交叉引用

此专利申请要求于2017年3月22日向韩国知识产权局提交的第 10-2017-0036231号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过 引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及一种在半导体制造中形成目标层的方法以及使用该层制造可 变电阻存储器件的方法。

背景技术

半导体器件通常被分类为存储器件和逻辑器件。用于存储数据的存储器 件被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件当其电源 供给被中断时可能丢失其所存储的数据。易失性存储器件可以包括例如动态 随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。非易失性存储 器件甚至当其电源供给被中断时也可以维持其所存储的数据，并且可以包括 例如可编程只读存储器(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)和闪速存储器件。

另外，为了满足最近针对具有高性能和低功耗的半导体存储器件的需求， 已经开发了下一代半导体存储器件。例如，开发了磁随机存取存储器(MRAM) 和相变随机存取存储器(PRAM)作为用于下一代半导体存储器件的候选。 在下一代半导体存储器件中，以下材料或结构被用作存储器元件：该材料或 结构的电阻根据施加至其的电流或电压可以改变并且甚至在电流或电压供给 被中断时也可以被维持。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种通过低温处理来在半导体制造中形 成具有期望的特性的层的方法。

本发明构思的一些实施例提供了一种以提高的产出制造具有高可靠性的 可变电阻存储器件的方法。

在一个方面中，本发明构思包括一种形成用于半导体器件的目标层的方 法，该方法包括执行单位处理至少一次，其中，该单位处理包括：通过执行 第一处理至少一次来在衬底上形成第一层；以及通过执行第二处理至少一次 来在第一层上形成第二层，其中，第一处理包括以下步骤：供给第一源气体； 供给第二源气体若干次；以及供给惰性气体若干次。

在另一个方面中，本发明构思包括一种制造可变电阻存储器件的方法， 该方法包括：在衬底上形成第一导电线，该第一导电线在第一方向上延伸； 形成电连接到第一导电线的存储单元；以及形成电连接到存储单元的第二导 电线，该第二导电线在与第一方向交叉(cross)的第二方向上延伸，其中，形成存储单元包括：形成串联连接在第一导电线与第二导电线之间的开关器 件和可变电阻结构；以及形成第一导电线与第二导电线之间的电极图案，该 电极图案电连接到开关元件和可变电阻结构，其中，形成电极图案包括：以 低于开关器件的相变温度的温度来沉积电极层。

在又另一个方面中，本发明构思包括一种在半导体衬底上形成合成目标 层的方法，其中，目标层包括顺序地沉积在衬底上的两个不同层的成分，该 方法包括以下步骤：(a)通过执行第一层形成处理至少一次来在衬底上形成 第一层；(b)通过执行第二层形成处理至少一次来在第一层上形成第二层； 以及(c)通过顺序地重复步骤(a)和(b)多次来形成具有第一层的成分和 第二层的成分的目标层。形成第一层的步骤(a)包括以下顺序步骤：供给第 一源气体，供给惰性气体以清除(purge)过量的第一源气体，供给第二源气体若干次，以及供给惰性气体若干次以清除过量的第二源气体和/或反应副产 物。

附图说明

根据以下结合附图进行的简要描述，将会更清楚地理解示例性实施例。 附图表示非限制性的、示例性的实施例，如在本文中所述。

图1是根据本发明构思的一些实施例的、在形成层的方法中要使用的沉 积系统的示意图。