[发明专利]一种宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810232022.9 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108439981B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 田野;魏晓勇;李晶;靳立;徐卓;庄永勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 齐书田 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料及其制备方法，称取氧化银、五氧化二铌和氧化铋，混合后一次球磨，将球磨得到的混合料依次进行烘干、研磨、过筛；然后将过筛后的混合料进行预烧，预烧结束后自然冷却到室温；然后二次球磨并烘干得到预制粉料；将预制粉料研磨并过筛得到筛选粉料，然后向筛选粉料中加入聚乙烯醇溶液，混合均匀得到造粒后的粉料；将造粒后的粉料静置，然后放入模具中，压成坯件；将坯件在纯氧条件下进行烧结，烧结结束后冷却，出炉得到烧结陶瓷片；将烧结陶瓷片打磨后晾干，在其上下表面涂覆银浆，然后煅烧，煅烧后冷却，即得到宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽温区介电 稳定性 高储能 密度 铌酸银基反铁电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种宽温区介电稳定性和高储能密度的铌酸银基反铁电材料，其特征在于，所述的铌酸银基反铁电材料公式为(Ag1‑3xBix)NbO3，其中x为摩尔百分比，且0＜x≤0.13。
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