[发明专利]提高GaN功放的P1db输出功率的装置及其方法在审

专利信息
申请号: 201810230515.9 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108521271A 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 吴波;冯浩;赵传祥 申请(专利权)人: 深圳市华达微波科技有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H03G3/30
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 张清彦
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置,包括功率分析仪、可控衰减器、第一功率检测仪、第二功率检测仪和一个衰减器控制器;功率分析仪的输入端与射频输入连接,功率分析仪的输出端与可控衰减器的输入端连接,可控衰减器的输出端与射频输出连接,功率分析仪的采样端与第一功率检测仪的检测端连接,第一功率检测仪的输出端与衰减器控制器的第一输入端连接,可控衰减器的检测端与第二率检测仪的采集端连接,第二功率检测仪的输出端与衰减器控制器的第二输入端连接,衰减器控制器的控制端与可控衰减器的受控端连接。通过检测及反馈,控制可控衰减器实现了对GaN功放的信号补偿。
搜索关键词: 可控衰减器 衰减器控制器 输出端 输入端连接 功率分析 功率检测 功率检测仪 输出功率 检测端 功率分析仪 射频输出 射频输入 信号补偿 采集端 采样端 控制端 受控端 输入端 检测 反馈
【主权项】:
1.一种提高GaN功放的P1db输出功率的装置,其特征在于:包括功率分析仪、可控衰减器、第一功率检测仪、第二功率检测仪和一个衰减器控制器;所述功率分析仪的输入端与射频输入连接,所述功率分析仪的输出端与所述可控衰减器的输入端连接,所述可控衰减器的输出端与射频输出连接,所述功率分析仪的采样端与所述第一功率检测仪的检测端连接,所述第一功率检测仪的输出端与所述衰减器控制器的第一输入端连接,所述可控衰减器的检测端与所述第二率检测仪的采集端连接,所述第二功率检测仪的输出端与所述衰减器控制器的第二输入端连接,所述衰减器控制器的控制端与所述可控衰减器的受控端连接。
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