[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201810226807.5 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108550528B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 詹昶;万先进;张高升;刘力挽;胡淼龙;蒋志超;涂飞飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：形成第一材料层，所述第一材料层包含多个氢键；在第一材料层上形成第二材料层，第二材料层的致密度大于第一材料层，其中，在形成第一材料层之后、并且在形成第二材料层之前进一步包括，执行退火以减少所述多个氢键。依照本发明的半导体器件制造方法，形成硬掩模之前对介质层退火以完全去除氢键缺陷，提高了器件的抗漏电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：形成第一材料层，所述第一材料层包含多个氢键；在所述第一材料层上形成第二材料层，其中，在形成所述第一材料层之后、并且在形成所述第二材料层之前进一步包括，执行退火以减少所述多个氢键。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
