[发明专利]小内存单片机的NOR Flash的存储管理方法有效

专利信息
申请号: 201810225665.0 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN108319433B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 廖泽才 申请(专利权)人: 艾体威尔电子技术(北京)有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市盛峰律师事务所 11337 代理人: 于国富
地址: 100142 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种小内存单片机的NOR Flash的存储管理方法,涉及数据处理领域。小内存单片机上集成NOR Flash芯片,所述NOR Flash芯片包括存储模块和执行程序模块,通过构建扇区映射表,执行程序模块实现在存储模块上写入数据、读取数据和空间均衡损耗的存储管理。本发明所述方法提高数据存储的安全性、提高破解NOR Flash数据内容的难度;可恢复原有数据,保证数据存取的可靠性;因具有均衡损耗的功能,延长NOR Flash的使用寿命;上层程序直接读写NOR Flash,无需考虑NOR Flash的擦除操作;写入速度比直接操作NOR Flash快。
搜索关键词: 内存 单片机 nor flash 存储 管理 方法
【主权项】:
1.一种小内存单片机的NOR Flash的存储管理方法,其特征在于,小内存单片机上集成NOR Flash芯片,所述NOR Flash芯片包括存储模块和执行程序模块,通过构建扇区映射表,执行程序模块实现在存储模块上写入数据、读取数据和空间均衡损耗的存储管理,具体为:1)初始化管理初始化NOR Flash芯片并构建扇区映射表;2)写入数据管理输入目标逻辑地址,通过扇区映射表调取与目标逻辑地址存在对应关系的目标物理地址,并将要写入的目标数据和目标物理地址存储的数据一起写入新物理地址中,同时将目标逻辑地址与新物理地址的映射关系更新到扇区映射表中,完成写入数据的管理;3)读取数据管理输入目标逻辑地址,通过扇区映射表调取与目标逻辑地址存在对应关系的目标物理地址,从目标物理地址中读取要读取的目标数据至输出缓存中,输出输出缓存地址和要读取目标数据的总长度,完成读取数据的管理;4)空间均衡损耗管理:在集成所述NOR Flash芯片的小内存单片机空闲时,扫描所述NOR Flash芯片的所有块,并将各个块按擦除次数从小到大排列,如果最大擦除次数的块与最小擦除次数的块的擦除次数均超出预设阀值,则将最小擦除次数的块的数据搬移到最大擦除次数的块中存储。
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