[发明专利]传输门在审
| 申请号： | 201810219980.2 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110277985A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 姜长友 | 申请（专利权）人： | 淮安市福满堂门业有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传输门，其包括第一传输路径端子和第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管（FET）和第二场效应晶体管，以及控制电路。第一FET和第二FET的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一FET的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第二FET的沟道触点耦接至第一传输路径端子。控制电路被构造为，提供用于第一FET的栅极触点的控制电压并提供用于第二FET的栅极触点的控制电压，使得用于第一FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于第二FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第二传输路径端子处的电压为基础。 | ||
| 搜索关键词： | 传输路径 控制电压 栅极触点 传输门 沟道 耦接 场效应晶体管 控制电路 触点 断开 串联 | ||
【主权项】：
1.一种用于选择性地建立传输路径的传输门，所述传输门包括 ： 第一传输路径端子和第二传输路径端子 ； 串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中，所述第一场效应晶体管的 沟道和所述第二场效应晶体管的沟道在所述第一传输路径端子和所述第二传输路径端子 之间串联地耦接，使得所述第一场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第二传输路径端子且 所述第二场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第一传输路径端子 ；以及 控制电路，被构造为，提供用于所述第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压和用于 所述第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压，使得用于所述第一场效应晶体管的所述栅 极触点的所述控制电压在所述传输门断开的状态下以所述第一传输路径端子处的电压为 基础，并使得用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压在所述传输门断 开的状态下以所述第二传输路径端子处的电压为基础。
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