[发明专利]传输门

说明书

本发明公开了一种传输门，其包括第一传输路径端子和第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管（FET）和第二场效应晶体管，以及控制电路。第一FET和第二FET的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一FET的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第二FET的沟道触点耦接至第一传输路径端子。控制电路被构造为，提供用于第一FET的栅极触点的控制电压并提供用于第二FET的栅极触点的控制电压，使得用于第一FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于第二FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第二传输路径端子处的电压为基础。

技术领域

本申请的实施方式涉及一种用于选择性地建立传输路径的传输门，更特别地，涉及一种具有扩展了的功能范围的传输门。

背景技术

传输门被用于各种应用，例如用于电连接或断开两个电节点。

发明内容

本文描述的实施方式提供了一种用于选择性地建立传输路径的传输门。 该传输门 包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应 晶体管以及控制电路。 第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路 径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点与第二传 输路径端子耦接并且第二场效应晶体管的沟道触点与第一传输路径端子耦接。 控制电路被 构造为，提供用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压和用于第二场效应晶体管的栅 极触点的控制电压，使得用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压在传输门断开的状 态下以第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于第二场效应晶体管的栅极触点的控 制电压在传输门断开的状态下以第二传输路径端子处的电压为基础。

本文描述的其他实施方式提供了一种用于选择性地建立传输路径的传输门。 传输 门包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效 应晶体管。 第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第 二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点耦接至第二传输路径 端子且第二场效应晶体管的沟道触点耦接至第一传输路径端子。 第一场效应晶体管和第二 场效应晶体管中的至少一个的体积触点（bulk contact） 连接至在第一场效应晶体管的沟 道和第二场效应晶体管的沟道之间电连接的节点。

此外，这里描述的实施方式提供一种用于选择性地建立传输路径的传输门。 传输门包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一换流器（first inverter， INV1） 和第二换流器（INV2）。 第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路 径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第 二场效应晶体管的沟道触点耦接至第一传输路径端子。 第一场效应晶体管的体积触点和第 二场效应晶体管的体积触点连接至在第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟 道之间电连接的节点。 第三场效应晶体管并联连接至串联连接的第一场效应晶体管和第二 场效应晶体管。 第三场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间耦 接。 第三场效应晶体管是与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管互补的场效应晶体管。 第一换流器耦接至第一传输路径端子，使得基于第一传输路径端子处的电压对第一换流器 供电。 第二换流器耦接至第二传输路径端子，使得基于第二传输路径端子处的电压对第二换流器供电。 第一换流器被构造为提供用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压，并 第二换流器被构造为提供用于第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压。