[发明专利]用于FDSOI的电路调谐方案有效
| 申请号： | 201810213579.8 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108631768B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 阿贝拉特·贝拉尔;亚若·巴拉萨伯拉马尼彦 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于FDSOI的电路调谐方案，其中，一种电路调谐的方法包括：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置、及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 fdsoi 电路 调谐 方案 | ||
【主权项】：
1.一种电路调谐的方法，其包含：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的该p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。
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