[发明专利]用于FDSOI的电路调谐方案

说明书

本发明涉及用于FDSOI的电路调谐方案，其中，一种电路调谐的方法包括：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置、及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。

技术领域

本发明大致上关于用于场效晶体管(FET)的电路结构。更具体来说，本发明的具体实施例包括用于全空乏上覆半导体绝缘体(FDSOI)晶体管技术的电路组态(拓朴)及电路调谐方案。

背景技术

场效晶体管(FET)的阈值(threshold)电压(Vth)变异即为其源极与漏极接端之间允许或防止电流流动所需的电压，对集成电路的操作范围造成不宜的效应及限制。许多模拟电路取决于晶体管的使用及那些电路固有的阈值匹配。习知的互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术可在多毫伏范围内呈现装置Vth不匹配。使用包括有模拟数字转换器、比较器、及某些放大器类型的CMOS的模拟电路易于受Vth不匹配影响。通过变更电路设计来改变FET的Vth可补偿制造过程的变异性。一般而言，电荷泵或其它电路用于变更FET的衬底(substrate)或背栅极上的偏压以改变FET的Vth。然而，此补偿形式按照习知影响整个集成电路，因为p或n装置类型其中至少一者的衬底出现于装置结构各处。随着硅绝缘体(SOI)技术的出现，现就各个别晶体管隔离p及n两装置类型的背栅极。SOI技术可容许使用者将晶体管的隔离背栅极驱动至源极-衬底接面的高逆偏以使“断开”(off)模式下的源极-漏极漏电流降到最小、以及驱动至稍微顺偏的操作区域以增强“导通”(on)模式下的源极-漏极电流。

发明内容

第一态样包括一种电路调谐的方法，其包括：一种电路调谐的方法，其包括：对电路结构施加第一正电压及第二正电压，该电路结构包括具有翻转井(flipped well)晶体管的p型金属氧化物半导体(PMOS)装置、及n型金属氧化物半导体(NMOS)装置；响应于对该NMOS装置的p型井区所施加的该第一正电压而调整第一阈值电压，及响应于对该PMOS装置的p型井区所施加的该第二正电压而调整第二阈值电压；以及相对于相同共模电压透过该PMOS装置及该NMOS装置的背栅极补偿该第一阈值电压及该第二阈值电压。

第二态样关于一种电路调谐结构，其包括：包括深n型井区的衬底；翻转井p型金属氧化物半导体(PMOS)装置，其包括：安置于该深n型井区上方并连接至供应电压的第一PMOSn型井区，连接至接地并与该PMOS n型井区的第一侧边侧向毗邻的第一衬底p型井区，以及具有电耦合至背栅极的对置n型井区的第二衬底PMOS p型井区，以及安置于该深n型井区上方并侧向毗邻该PMOS装置的n型金属氧化物半导体(NMOS)装置，该NMOS装置包括：与该背栅极电耦合的该第二衬底PMOS p型井区侧向毗邻的NMOS n型井区、及电耦合至栅极的NMOS p型井区，其中第一NMOS p型井区侧向毗邻该NMOS n型井区；以及经组配用以对第一衬底PMOS p型井区施加第一正背栅极电压、及对该NMOS p型井区施加第二正背栅极电压的控制电路；以及该第一正背栅极电压及该第二正背栅极电压相对于共模电压彼此成反比。