[发明专利]一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法有效
| 申请号： | 201810212254.8 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108447584B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张梓晗;吕鹏;陶豹;张运奇;聂彪 | 申请（专利权）人： | 合肥微晶材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01B13/00;C09D175/14;C09D7/61 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法，其是选用含有紫外吸收剂的透明基底层，同时在银纳米线导电层上设置光固化树脂层，在光固化树脂层上设置抗氧化保护层，从而使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺。采用本发明的方法，经过刻蚀工艺后银纳米线透明导电膜在UV光照射下500h内不发生颜色变化，且常温通电稳定性、UV光照弯曲电阻稳定性、高温高湿环境电阻稳定性、耐溶剂性擦拭性皆明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 适用于 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法，所述银纳米线导电膜是在透明基底层的表面设置有银纳米线导电层，其特征在于：选用含有用于吸收200～400nm波段紫外光的紫外吸收剂的透明基底层，同时在所述银纳米线导电层上设置光固化树脂层，在所述光固化树脂层上设置抗氧化保护层，从而使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺。
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