[发明专利]低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201810196174.8 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110243238A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朱朋;覃新;唐科;陈楷;徐聪;沈瑞琪;叶迎华 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | F42B3/12 | 分类号： | F42B3/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置及其制备方法。低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置包括：Si基底、高电导率金属层、飞片层、加速膛层和钝感药柱，在Si基底、Au/Ag/Cu/Al等高电导率金属层上制作爆炸箔和开关，在聚氯代对二甲苯Parylene C或者聚酰亚胺PI飞片、金属Au/Cu层上制作复合飞片层，加速膛层采用Su8光刻胶光刻显影制造，钝感药柱紧贴加速膛层。起爆装置的制作方法采用MEMS工艺，流程简便，使得该型起爆装置成本低，体积小。由于采用了多晶Si基底，低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置兼具半导体桥低能触发与冷阴极真空开关相比和爆炸箔高能发火KV级电压、KA级电流的特性，具有高安全性、高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 爆炸箔起爆装置 触发 开关集成 飞片 基底 起爆装置 药柱 制备 制作 聚氯代对二甲苯 高电导率金属 电导率 半导体桥 高安全性 高可靠性 光刻胶光 聚酰亚胺 真空开关 金属层 冷阴极 体积小 爆炸 发火 等高 多晶 显影 紧贴 复合 金属 制造 | ||
【主权项】：
1.一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：所述爆炸箔起爆装置包括多晶Si基底(1)，金属焊盘(2)，爆炸桥箔(3)，飞片(4)，加速膛(6)，钝感药柱(5)，Si开关(7)；所述Si基片(1)上刻蚀出爆炸箔桥区(3)、半导体开关桥区(7)，预留金属焊盘(2)区；金属焊盘(2)为高导电率的金属沉积在爆炸桥箔(3)及Si开关(7)上，且用于调节多晶Si方形桥区(3)和Si开关(7)的电阻；所述的加速膛层(6)制作为带有2个圆孔的薄片层，其中一个位于开关(7)正上方，为开关电爆留出空间；另一个位于爆炸箔桥区正上方，用于飞片加速。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810196174.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
