[发明专利]一种低温制备二硒化锡纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种低温制备二硒化锡纳米线的方法，属于无机化合物半导体纳米材料技术领域；采用溶剂热法合成二硒化锡纳米线材料只需在100‑120℃的较低温度下采用廉价简单的原料：无机盐、乙醇、水合肼、氨水进行一步合成；操作简单，合成过程中可控参数较少，合成成本低；所制得的二硒化锡纳米线材料在溶液中自由分散发育生长，具有一维现状形貌，并且结晶良好；在合成过程中没有引入表面活性剂或模板剂，过程无污染，纳米线表面洁净，适合对其进行物理性能研究，同时也容易进行表面改性。

主权项

1.一种低温制备二硒化锡纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）将重量百分比为40‑60%的液态乙醇与重量百分比为40‑60%的液态水合肼均匀混合得到反应溶剂；

b）将重量比为40‑60%的四氯化锡和重量比为40‑60%的可溶性亚硒酸金属盐混合得到反应原料；

c）称取重量百分比为0.5‑10%的反应原料和90‑99.5%的反应溶剂，反应原料和反应溶剂总重量百分比为100%，置入反应容器中，加入氨水后密闭，在100‑120℃下恒温加热20‑40h，所述氨水的pH为8‑10；

d）冷却至室温后洗涤直至反应产物的pH值为中性，得到二硒化锡纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种低温制备二硒化锡纳米线的方法，其特征在于，所述的亚硒酸金属盐为亚硒酸钠或者亚硒酸钾。

3.根据权利要求1所述的一种低温制备二硒化锡纳米线的方法，其特征在于，所述的反应容器为有机聚合物制备容器或贵金属容器。

4.根据权利要求1所述的一种低温制备二硒化锡纳米线的方法，其特征在于，所述的在100‑120℃下恒温加热20‑40h，是将反应容器置于马弗炉或者电阻炉或烘箱中进行。