[发明专利]一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810178869.3 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108565105A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘仲武;曾慧欣;李伟;赵利忠;张家胜;钟喜春;邱万奇 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C23C10/30 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于永磁材料领域，公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法。首先制备熔点为450～950℃的低熔点非稀土合金，作为表面扩散介质，然后将表面扩散介质置于钕铁硼磁体表面，形成扩散偶，最后将形成扩散偶的钕铁硼磁体在真空下进行扩散热处理，得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明所述的表面扩散工艺过程简便有效，不使用稀土合金或化合物作为扩散介质，在明显降低了钕铁硼磁体中稀土元素含量的基础上，可有效改善磁体晶界相的分布，显著提高磁体的矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼磁体 表面扩散 高矫顽力 制备 稀土合金 熔点 扩散热处理 扩散 工艺过程 扩散介质 稀土元素 永磁材料 低熔点 矫顽力 晶界相 | ||
【主权项】：
1.一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)制备熔点为450～950℃的低熔点非稀土合金，作为表面扩散介质；(2)将步骤(1)的表面扩散介质置于钕铁硼磁体表面，形成扩散偶；(3)将步骤(2)中形成扩散偶的钕铁硼磁体在真空下进行扩散热处理，得到高矫顽力钕铁硼磁体。
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