[发明专利]栅极凹槽的形成方法有效
| 申请号： | 201810163650.6 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197788B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极凹槽的形成方法，包括：在衬底上形成层间介质层和多个宽度不同的金属栅极，每个金属栅极与层间介质层相邻；形成第一光阻层，使多个宽度不同的金属栅极的顶部表面包括多个暴露区和多个覆盖区，且至少一个金属栅极顶部表面包括暴露区和与暴露区相邻的覆盖区；以第一光阻层为掩膜对暴露区进行第一刻蚀，以形成第一凹槽；形成第二光阻层，以遮蔽第一凹槽，并暴露覆盖区；和以第二光阻层为掩膜对覆盖区进行第二刻蚀，以形成第二凹槽。经过两次刻蚀即可形成栅极凹槽，节省了生产的时间成本与工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 凹槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极凹槽的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成层间介质层和多个宽度不同的金属栅极，每个所述金属栅极与所述层间介质层相邻；形成第一光阻层，使所述多个宽度不同的金属栅极的顶部表面包括多个暴露区和多个覆盖区，且至少一个所述金属栅极顶部表面包括所述暴露区和与所述暴露区相邻的覆盖区；以所述第一光阻层为掩膜对所述暴露区进行第一刻蚀，以形成第一凹槽；形成第二光阻层，以遮蔽所述第一凹槽，并暴露所述覆盖区；和以所述第二光阻层为掩膜对所述覆盖区进行第二刻蚀，以形成第二凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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