[发明专利]一种PDMS柔性超疏水薄膜的制作方法

摘要

本发明公开了一种PDMS柔性超疏水薄膜的制作方法，其是利用MEMS技术制备由双层胶构成的具有倒悬(Under cut)结构的复制模板，并基于该模板采用柔性复制工艺，在PDMS等柔性材料表面形成超疏水结构，实现PDMS柔性超疏水薄膜的制备。本发明的方法操作简单、制造成本低、效率高，且不需要苛刻的设备，有利于实现低成本批量化生产。

主权项

1.一种PDMS柔性超疏水薄膜的制作方法，其特征是，包括如下步骤：a、清洗硅片依次使用丙酮、异丙醇和去离子水对硅片进行超声清洗，然后烘干，获得清洁硅片；b、制备单层光刻胶基底在所述清洁硅片表面旋涂LOR光刻胶，旋涂厚度为3～5μm，然后在150‑200℃烘烤5～10min，再冷却至室温，形成单层光刻胶基底；c、制备双层光刻胶基底在所述单层光刻胶基底表面旋涂SU8‑2050光刻胶，旋涂厚度为40～60μm，然后先在65℃烘烤3min、再在90℃烘烤10min，最后冷却至室温，形成双层光刻胶基底；d、制备倒悬结构模板在所述双层光刻胶基底表面覆盖掩膜版并进行紫外曝光，紫外曝光的曝光剂量为200mJ/cm2、曝光时间为15～25s；然后烘烤使SU8‑2050光刻胶固化；采用SU8显影液对SU8‑2050光刻胶进行第一阶段显影，显影时间3～5min，使未曝光区域的SU8‑2050光刻胶被去除、露出位于其下的LOR光刻胶；再采用TMAH显影液对LOR光刻胶进行第二阶段显影，显影时间2～4min，使未曝光区域露出的LOR光刻胶被刻蚀，且随着显影时间的加长，LOR光刻胶的刻蚀区域向位于曝光区域SU8‑2050光刻胶下方的LOR光刻胶扩散，控制扩散深度不小于1μm，即形成倒悬结构；将其清洗并吹干后置于热台上90℃硬烘30min，获得倒悬结构模板；e、利用柔性复制工艺制备成品将所述倒悬结构模板在肥皂水中浸泡1min，随后置于热台上烘烤20min，以进一步降低其表面能；然后将PDMS旋涂液旋涂到所述倒悬结构模板的表面，经热固化后剥离，所得厚度在100‑150μm的PDMS薄膜即为PDMS柔性超疏水薄膜。