[发明专利]包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810157217.1 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933135B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙允镐;申材旭;高镛璇;朴壬洙;郑盛允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;朱智勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 扩大 接触 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个线图案，所述多个线图案包括第一线图案和与所述第一线图案直接相邻的第二线图案，所述第一线图案包括面向所述第二线图案的第一侧，并且所述第二线图案包括面向所述第一线图案的第二侧；在所述第一线图案的所述第一侧形成第一间隔件结构，并且在所述第二线图案的所述第二侧形成第二间隔件结构，所述第一间隔件结构和所述第二间隔件结构之间限定开口；在所述开口的下部中形成第一导体，所述第一导体的上表面比所述第一线图案的上表面和所述第二线图案的上表面低；通过蚀刻所述第一间隔件结构的上部和所述第二间隔件结构的上部，形成扩展开口，所述扩展开口的宽度大于所述开口的下部的宽度；和在所述第一导体上的所述扩展开口中形成第二导体，其中，在蚀刻所述第一间隔件结构的上部和所述第二间隔件结构的上部之后，所述第一间隔件结构的上表面包括凹陷部分，并且其中，所述第二导体的一部分被形成在所述第一间隔件结构的上表面的所述凹陷部分中，使得所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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