[发明专利]一种偏振无关宽角度石墨烯吸收器

摘要

本发明公开了一种偏振无关宽角度石墨烯吸收器，该石墨烯吸收器包括金属基底以及设置在金属基底上的多层光栅脊，多层光栅脊为自上而下依次叠置的上石墨烯层、上电介质层、下石墨烯层和下电介质层构成的光栅结构；上石墨烯层、上电介质层、下石墨烯层和下电介质层均为长宽相同的长方形片体，并且上石墨烯层的厚度和下石墨烯层的厚度相同且小于上电介质层的厚度；下电介质层的厚度大于上电介质层的厚度；当正入射光以TE偏振方式入射到多层光栅脊上时，多层光栅脊作为一个共振腔，入射光与多层光栅脊、金属基底相互作用产生腔模式共振，引起光吸收增强；当正入射光以TM偏振方式入射到多层光栅脊上时，入射光在下层电介质层与金属基底的界面处产生磁共振。

主权项

1.一种偏振无关宽角度石墨烯吸收器，所述的石墨烯吸收器包括金属基底(1)以及设置在该金属基底上的多层光栅脊(2)，其特征是：所述的多层光栅脊(2)为自上而下依次叠置的上石墨烯层(21)、上电介质层(22)、下石墨烯层(23)和下电介质层(24)构成的光栅结构；所述的上石墨烯层(21)、上电介质层(22)、下石墨烯层(23)和下电介质层(24)均为长宽相同的长方形片体，并且所述的上石墨烯层(21)的厚度和下石墨烯层(23)的厚度相同，且小于上电介质层(22)的厚度；所述的下电介质层(24)的厚度大于所述上电介质层(22)的厚度；当正入射光以TE偏振方式入射到多层光栅脊(2)上时，所述的多层光栅脊(2)作为一个共振腔，入射光与多层光栅脊(2)、金属基底(1)相互作用产生腔模式共振，引起光吸收增强；当正入射光以TM偏振方式入射到多层光栅脊(2)上时，入射光在下层电介质层(24)与金属基底(1)的界面处产生磁共振。