[发明专利]用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术有效
| 申请号： | 201810146062.1 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN108198581B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮;V.蒂瓦里 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12;G11C16/00;G11C16/06;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/28;H10B41/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 纳米 存储器 装置 高速 技术 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器感测电路，包括：存储器数据读取块，所述存储器数据读取块耦接到选择的闪速存储器单元，并包括位线、来自第一相邻位线的第一寄生电容器、以及来自第二相邻位线的第二寄生电容器；存储器参考读取块，所述存储器参考读取块耦接到参考存储器单元；以及差分放大器块，所述差分放大器块耦接到所述存储器数据读取块和所述存储器参考读取块，用于确定存储在所述选择的闪速存储器单元中的值；其中所述存储器数据读取块和所述存储器参考读取块耦接到预充电电路，以补偿所述第一寄生电容器和所述第二寄生电容器。
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