[发明专利]制备高强度高孔隙率原位生长硼酸镁晶须陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201810144625.3 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108264334A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈善华;罗青松;韩世虎 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/81;C04B38/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 胡晓丽 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了制备高强度高孔隙率原位生长硼酸镁晶须陶瓷的方法，包括以下步骤：步骤A，称取原料碱式碳酸镁、硼酸、焦磷酸钠、聚乙烯醇和水；步骤B，将步骤A称取的原料进行球磨混料；步骤C，将步骤B制备的混料在80℃温度条件下干燥；步骤D，将步骤C干燥后的物料进行压制成型；步骤E，将压制成型后的坯料在110℃温度条件下进行干燥处理；步骤F，将步骤E干燥后的坯料进行烧结获得成品。本发明在保留原位合成制备硼酸镁晶须多孔陶瓷的基础上，采用固相烧结法一方面解决了硼酸镁晶须多孔陶瓷高强度时孔隙率低的问题，另一方面解决了用冷冻注模法和溶胶凝胶法制备硼酸镁晶须多孔陶瓷工艺复杂等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸镁晶须 制备 多孔陶瓷 高孔隙率 温度条件 原位生长 称取 坯料 陶瓷 聚乙烯 硼酸 溶胶凝胶法制 固相烧结法 碱式碳酸镁 冷冻注模法 干燥处理 焦磷酸钠 球磨混料 原位合成 烧结 孔隙率 混料 保留 | ||
【主权项】：
1.制备高强度高孔隙率原位生长硼酸镁晶须陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A，称取原料碱式碳酸镁、硼酸、焦磷酸钠、聚乙烯醇和水；步骤B，将步骤A称取的原料进行球磨混料；步骤C，将步骤B制备的混料在80℃温度条件下干燥；步骤D，将步骤C干燥后的物料进行压制成型；步骤E，将压制成型后的坯料在110℃温度条件下进行干燥处理；步骤F，将步骤E干燥后的坯料进行烧结获得成品。
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