[发明专利]一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法有效
| 申请号： | 201810134750.6 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108362988B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;赵金宇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 双极晶体管 剂量率 增强 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，包括：步骤一，将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；步骤二，使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；加热时的升温速率小于等于20℃/min，控温精度为±1℃，加热温度为150℃至300℃；步骤三，保温结束后，将晶体管降温至25℃。
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