[发明专利]一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法

权利要求书

1.一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，包括：

步骤一，将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；

步骤二，使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；加热时的升温速率小于等于20℃/min，控温精度为±1℃，加热温度为150℃至300℃；

步骤三，保温结束后，将晶体管降温至25℃。

2.根据权利要求1所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，在步骤三执行完成之后，还包括用于检测是否出现辐照损伤增强效应的步骤，具体包括：

步骤四，使用⁶⁰Coγ射线作为辐照源对所述晶体管进行电离辐照试验，改变辐照剂量率并记录晶体管的电流增益的变化量，若变化量超过预设的阈值，则表示所述晶体管发生了损伤。

3.根据权利要求2所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，

在步骤一执行之前，绘制晶体管在未经过加温处理时高、低两种剂量率辐照的Δ(1/β)随辐照剂量的曲线图；

在步骤四执行之后，绘制晶体管在经过加温处理后高、低两种剂量率辐照的Δ(1/β)随辐照剂量的曲线图；

其中Δ(1/β)表示电流增益倒数的变化量。

4.根据权利要求2所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，

在步骤一执行之前，绘制晶体管在未经过加温处理时进行高、低两种剂量率辐照的ΔI_B

随辐照剂量的变化曲线图；

在步骤四执行之后，绘制晶体管在经过加温处理后进行高、低两种剂量率辐照的ΔI_B随辐照剂量的变化曲线图；

其中ΔI_B表示过剩基极电流。

5.根据权利要求4所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，步骤一中，抽真空时的真空度不低于10pa至10^-4pa。

6.根据权利要求5所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，步骤三中，降温时的降温速率小于等于20℃/min。

7.根据权利要求6所述的抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，其特征在于，步骤四中，改变辐照剂量率的变化范围为1mrad/s至10mrad/s，辐照总剂量为20krad至100krad。