[发明专利]MRAM芯片有效

专利信息
申请号: 201810130958.0 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN110136760B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种MRAM芯片,其中,MRAM阵列包括多个子阵列,所述子阵列包括一公共源线连接到所有单元,和连接每一列的多条位线;每一所述位线连接第一传输门、第二传输门;所述第一传输门连接所述公共源线,所述第二传输门连接公共位线;所述预解码器包括:多根地址线输入、与所述位线数量匹配的选择信号及其反相信号的输出;所述选择信号及其反相信号输出端连接到每一个子阵列相应的位线所对应的第一传输门、第二传输门,控制所述第一传输门、所述第二传输门任一打开,另一关闭。通过预解码器的控制,使得一个阵列每次只写一个比特,不再需要高电压、负电压,设计简单能耗降低。
搜索关键词: mram 芯片
【主权项】:
1.一种MRAM芯片,包括:源线与位线垂直布局的MRAM阵列和预解码器,其特征在于,所述MRAM阵列包括多个子阵列,所述子阵列包括一公共源线连接到所有单元,和连接每一列的多条位线;每一所述位线连接第一传输门、第二传输门;所述第一传输门连接所述公共源线,所述第二传输门连接公共位线;所述预解码器包括:多根地址线输入、与所述位线数量匹配的选择信号及其反相信号的输出;所述选择信号及其反相信号输出端连接到每一个子阵列相应的位线所对应的第一传输门、第二传输门,控制所述第一传输门、所述第二传输门任一打开,另一关闭。
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