[发明专利]一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须及制备方法有效
| 申请号： | 201810125936.5 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108395249B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 成来飞;吕鑫元;叶昉;范尚武;于树印;刘永胜;张立同 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/81;C04B35/622;B28B1/00;B28B1/52;B33Y70/10;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须及制备方法，组合物包括：SiC晶须、光敏树脂、分散剂、流变助剂。制备步骤为SiC晶须预处理、SiC晶须素坯的制备、SiC晶须预制体的排胶、SiC基体的制备。本发明所提供的技术方案，成型精度高，微观结构均匀且可设计，可成型型面复杂构件，推动了立体光刻技术在陶瓷领域应用，解决了现有方法依赖模具、成型复杂型面构件困难、且微观结构不均匀的问题，其制备的SiC晶须增强SiC‑CMC材料具备各向同性，即在各个方向的结构与功能特征基本一致，这使得SiC晶须增强SiC‑CMC材料更有潜力应用于航空航天领域需承受较高且复杂应力条件的热端部件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 立体 光刻 技术 陶瓷 材料 sic 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须，其特征在于以质量分数计的原料配比为：SiC晶须10～40％、光敏树脂40～80％、分散剂5～10％、流变助剂5～10％；所述各组份之和为100％。
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