[发明专利]一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须及制备方法

权利要求书

1.一种适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：制备方法具体步骤如下：

步骤1、SiC晶须的预处理：对SiC晶须进行热处理和酸洗；

步骤2、SiC晶须素坯的制备：将SiC晶须、光敏树脂、分散剂和流变助剂，按照质量分数SiC晶须10～40％、光敏树脂40～80％、分散剂5～10％、流变助剂5～10％混合并分散、球磨，制得混合浆料；

将混合浆料立体光刻成型，得SiC晶须素坯；所述立体光刻成型工艺参数为：打印层厚为0.02mm，底层层数为1～5层，底层曝光时间为20～40s，后续单层曝光时间为5～15s；

步骤3、SiC晶须的排胶：将步骤2光刻成型的素坯置于箱式炉中，在空气气氛下以0.5℃/min～1℃/min的升温速率升至600～800℃并保温3～5h，随炉冷却至室温，将所述SiC晶须素坯排胶，除去有机物，得多孔预制体；所述升温过程中每100～200℃保温60～90min；

步骤4、SiC基体的制备：采用先驱体浸渍裂解法PIP向多孔预制体中引入先驱体PCS聚碳硅烷或PMS聚甲基硅烷；在Ar气氛下，在200～300℃交联固化2～5h，在900～1500℃裂解2～5h，升温速率为2℃/min，冷却至室温；重复本步骤多次，得SiC_w/SiC复合材料。

2.根据权利要求1所述适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：所述分散剂为JZA-1101、TEGO750、TEGO760或TEGO685中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：所述流变助剂为JZA-2101、BYK410、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯EOEOEA、TEGO410或TEGO432中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：所述步骤2的分散采用均质仪进行分散。

5.根据权利要求1所述适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：所述步骤2的球磨采用球磨机球磨2～4h，料球比为3:1～2:1，转速控制在400～500r/min。

6.根据权利要求1所述适用于立体光刻技术的制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料SiC-CMC的方法，其特征在于：所述重复本步骤多次为3～6次。