[发明专利]一种半导体激光器的生产方法

摘要

本发明涉及一种半导体激光器的生产方法。本发明所述半导体激光器的生产方法，利用特定位置开槽、绝缘处理，并使用金属蒸镀方法实现激光器N面大面积与激光器基底之间的连接，可直接在激光器基底上连接导线使用，省去了传统球焊机的焊接过程，避免了因球焊机焊接导致的芯片破损、焊接空洞、焊接不牢等现象。

主权项

1.一种半导体激光器的生产方法，其特征在于，包括步骤如下：1)制作激光器基底，在所述激光器基底的表面蒸镀金属导电层；2)在激光器基底表面涂光刻胶，使用光刻板曝光，得到均匀排列的横向槽和纵向槽；3)光刻胶显影；去掉横向槽和纵向槽中的光刻胶，其他区域光刻胶保护；4)去掉横向槽和纵向槽内的金属导电层；刻蚀横向槽和纵向槽内的激光器基底，刻蚀深度≥10um；5)清洗激光器基底，将P面朝下的激光器芯片封装到激光器基底上，激光器芯片的出光面探出横向槽下侧边0～10um，激光器芯片的右侧边在纵向槽左侧边的内侧10～50um；6)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形区域；所述长方形区域的左侧边跨过激光器芯片右侧边30～50um，长方形区域的右侧边跨过所述纵向槽的右侧边30～50um；长方形区域的上侧边在激光器芯片上侧边内侧30～50um，长方形区域的下侧边在激光器芯片下侧边内侧30～50um；显影后，激光器基底表面长方形区域外的区域光刻胶保护；7)在激光器基底表面生长绝缘膜，厚度≥0.02um，生长后剥离表面光刻胶，仅在所述长方形区域内保留绝缘膜；8)在激光器基底表面涂光刻胶，通过光刻板曝光，得到长方形蒸镀金属区，长方形蒸镀金属区的左侧边与激光器芯片的左侧边距离≥30um，长方形蒸镀金属区的右侧边跨过所述纵向槽的左侧边100um～500um；显影后所述长方形蒸镀金属区内没有光刻胶保护；9)在激光器基底表面蒸镀金属层，金属层厚度≥0.5um，蒸镀金属层后将光刻胶剥离去除；10)切割得到单个激光器芯片；以所述纵向槽为边界，纵向槽的左侧为激光器芯片正电极，纵向槽的右侧为激光器芯片负电极。