[发明专利]用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201810122022.3 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108365083B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;朱厚彬;张秀全;胡卉 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/02 | 分类号： | H01L41/02;H01L41/08;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 250101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 提供一种制造用于声表面波器件的复合压电衬底的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有抛光表面的硅晶圆和压电晶圆，并对其进行半导体级清洗；形成第一键合体；将第一键合体中的压电晶圆依次进行减薄和抛光处理；对减薄和抛光后的第一键合体中的压电晶圆进行离子注入；形成第二键合体；加热第二键合体，以实现压电晶圆的热分离，从而得到复合压电衬底和第三键合体；对复合压电衬底进行退火。回收热分离后得到的第三键合体，从而提高原材料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面波 器件 复合 压电 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法，所述方法包括以下步骤：提供均具有抛光表面的硅晶圆和压电晶圆；将硅晶圆的抛光表面和压电晶圆的抛光表面直接接触，以形成第一键合体；将第一键合体中的压电晶圆依次进行减薄和抛光处理；对减薄和抛光后的第一键合体中的压电晶圆进行离子注入，从而在压电晶圆中形成余质层、注入层和分离层，注入层位于分离层与余质层之间，注入的离子分布在注入层内；将氧化硅片中的二氧化硅层的表面进行抛光处理；将二氧化硅层的抛光表面与第一键合体中的压电晶圆的抛光表面直接接触，以形成第二键合体；加热第二键合体，以实现余质层和分离层的热分离，从而得到复合压电衬底和第三键合体；对复合压电衬底进行退火，其中，回收热分离后得到的第三键合体作为减薄后的第一键合体，并进行抛光处理，以继续与氧化硅片中的二氧化硅层键合来形成复合压电衬底。
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