[发明专利]隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201810119512.8 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110120363B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 林杰;徐鸾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：提供有源区；在所述有源区上形成前端材料层；图案化所述前端材料层形成开口，所述开口中形成有残留物；以所述开口为基准第一次刻蚀所述有源区形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述残留物下方；减小所述凸起的宽度，并去除所述残留物；以所述初始凹槽为基准第二次刻蚀所述有源区形成隔离凹槽；以及在所述隔离凹槽中形成隔离结构。于是，本发明中的隔离凹槽是两次刻蚀形成，能够消除刻蚀前端材料层时产生的残留物和由于该残留物导致的有源区凸起缺陷，使得隔离结构正常的形成，确保了隔离结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供有源区；在所述有源区上形成前端材料层；图案化所述前端材料层形成开口，所述开口中形成有残留物；以所述开口为基准第一次刻蚀所述有源区形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述残留物下方；减小所述凸起的宽度，并去除所述残留物；以所述初始凹槽为基准第二次刻蚀所述有源区形成隔离凹槽；以及在所述隔离凹槽中形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
