[发明专利]包括突触的神经形态器件的突触阵列及其操作方法在审
| 申请号： | 201810116451.X | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108986856A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李炯东 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/54 | 分类号： | G11C11/54;G11C11/402;G11C11/22;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种神经形态器件的突触阵列。突触阵列可以包括：突触前神经元；行线，其在行方向上从突触前神经元开始延伸；突触后神经元；列线，其在列方向上从突触后神经元开始延伸；以及突触，其设置在行线与列线之间的交叉点区域处。突触可以包括：n型铁电场效应晶体管(n‑FeFET)，其具有源电极、栅电极和体；p型铁电场效应晶体管(p‑FeFET)，其具有源电极、栅电极和体；以及电阻元件，其具有电连接到n‑FeFET的源电极且电连接到p‑FeFET的源电极的第一节点，以及n‑FeFET和p‑FeFET串联电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 突触 神经元 源电极 铁电场效应晶体管 神经形态 电连接 栅电极 列线 串联电连接 交叉点区域 电阻元件 列方向 延伸 行线 | ||
【主权项】：
1.一种神经形态器件的突触阵列，包括：突触前神经元；行线，其在行方向上从突触前神经元开始延伸；突触后神经元；列线，其在列方向上从突触后神经元开始延伸；以及突触，其设置在行线与列线之间的交叉点区域处，其中，突触包括：n型铁电场效应晶体管n‑FeFET，其具有源电极、栅电极和体；p型铁电场效应晶体管p‑FeFET，其具有源电极、栅电极和体；以及电阻元件，其具有电连接到n‑FeFET的源电极且电连接到p‑FeFET的源电极的第一节点，以及n‑FeFET和p‑FeFET串联电连接。
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