[发明专利]电压产生电路和包括电压产生电路的半导体器件在审

专利信息
申请号: 201810092510.4 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN108461098A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 申晧荣;吴明姬 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 范心田
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种电压产生电路和包括所述电压产生电路的半导体器件。所述电压产生电路包括串联连接的电荷泵,每个电荷泵包括电荷转移晶体管、控制器和偏置电路。所述电荷转移晶体管具有漏极、源极和栅极,所述源极接收第一时钟,所述焊机连接到第一节点并且接收与第一时钟相反的第二时钟。所述控制器包括控制晶体管,所述控制晶体管的源极连接到第一节点,所述控制晶体管的栅极耦接到第一时钟,所述控制晶体管的漏极连接到所述控制晶体管的栅极。所述偏置电路对电荷转移晶体管进行偏置。
搜索关键词: 电压产生电路 控制晶体管 电荷转移晶体管 半导体器件 偏置电路 控制器 电荷泵 漏极 源极 源极连接 焊机 偏置
【主权项】:
1.一种电压产生电路,包括:多个串联连接的电荷泵,所述多个电荷泵中的每一个包括:电荷转移晶体管,所述电荷转移晶体管具有漏极、接收第一时钟的源极和连接到第一节点并且接收与第一时钟相反的第二时钟的栅极;控制器,包括控制晶体管,所述控制晶体管具有连接到第一节点的源极、耦接到第一时钟的栅极和连接到所述控制晶体管的栅极的漏极;以及偏置电路,配置为对所述电荷转移晶体管进行偏置。
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