[发明专利]基体偏压产生电路有效
申请号: | 201810089294.8 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108958344B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 黄铭信 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种基体偏压产生电路,用以提供一基体偏压至一功能电路的一晶体管的基体。此基体偏压产生电路包含:一第一晶体管以及一第二晶体管,其串联连接于一供应电压端以及一接地端之间,且第一晶体管的一控制端耦接该第二晶体管的一控制端;一第三晶体管,其基体电性耦接该第一晶体管与该第二晶体管其中之一的基体,且该第三晶体管的一端耦接该第三晶体管的该基体;一电阻元件,其耦接于该第三晶体管的该端以及该第一晶体管的一电流流入端或是该第二晶体管的一电流流出端之间。第三晶体管的该端上的电压为基体偏压。 | ||
搜索关键词: | 基体 偏压 产生 电路 | ||
【主权项】:
1.一种基体偏压产生电路,其特征在于,用以提供一基体偏压至一功能电路的一晶体管的基体,该基体偏压产生电路包含:一第一晶体管以及一第二晶体管,串联连接于一供应电压端以及一接地端之间,且该第一晶体管的一控制端耦接该第二晶体管的一控制端;以及一第三晶体管,该第三晶体管的基体电性耦接该第一晶体管与该第二晶体管其中之一的基体,且该第三晶体管的一端耦接该第三晶体管的该基体;一电阻元件,耦接于该第三晶体管的该端以及该第一晶体管的一电流流入端或是该第二晶体管的一电流流出端之间;其中该第三晶体管的该端上的电压为该基体偏压。
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