[发明专利]具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法

摘要

一种具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，势垒层表面设有3个主电极C₀、C₁和C₂，主电极C₁和C₂关于主电极C₀中心对称，主电极C₀和C₁之间、C₀和C₂之间设置有凹槽结构，两边凹槽结构关于主电极C₀中心对称，并且凹槽结构的宽度小于C₀和C₁或者C₀和C₂之间电极间距，主电极C₀和C₁之间的凹槽结构上设置有感测电极S₁，主电极C₀和C₂之间的凹槽结构上设置有感测电极S₂。本发明通过选区浅刻蚀形成凹槽，保留凹槽下方完好的异质结界面,能利用二维电子气的高迁移率优势，又能保证在弱磁场信号下运动中的载流子能发生有效偏移，从而提高器件探测敏感度。

主权项

1.一种具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器，其特征在于，在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，所述势垒层表面设有3个主电极C₀、C₁和C₂，所述主电极C₁和C₂关于主电极C₀中心对称，所述主电极C₀和C₁之间、C₀和C₂之间均设置有凹槽结构，两凹槽结构关于主电极C₀中心对称，并且凹槽结构的宽度小于C₀和C₁或者C₀和C₂之间电极的间距，所述主电极C₀和C₁之间的凹槽结构上设置有感测电极S₁，所述主电极C₀和C₂之间的凹槽结构上设置有感测电极S₂，所述凹槽结构通过浅刻蚀从而保留下方完好的异质结界面，所述外延层和势垒层为可产生二维电子气的任意异质结材料组合。