[发明专利]一种用于去除半导体晶片蚀刻残留物的清洗组合物在审
| 申请号： | 201810082648.6 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110095953A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请（专利权）人： | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于去除半导体晶片蚀刻残留物的清洗组合物，其包含：含四‑C1‑C6烷基胍和水的溶剂、氟化物、羟胺和选自苯甲酸类及其盐的腐蚀抑制剂。本发明的刻蚀残留物清洗组合物可以有效地清洗金属和半导体制造过程中产生的刻蚀残留物，不会对所接触铜、介电材料等材料有腐蚀作用，并且可以使金属晶片在清洗时金属细线比较光滑；其可在比较大的温度范围内发挥作用，具有较大的操作窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗组合物 半导体晶片 刻蚀残留物 蚀刻残留物 去除 半导体制造过程 腐蚀抑制剂 有效地清洗 苯甲酸类 操作窗口 介电材料 金属晶片 金属细线 氟化物 烷基胍 溶剂 羟胺 光滑 清洗 腐蚀 金属 | ||
【主权项】：
1.一种清洗组合物，其包含：含四‑C1‑C6烷基胍和水的溶剂、氟化物、羟胺和腐蚀抑制剂，其中所述腐蚀抑制剂选自苯甲酸类及其盐。
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