[发明专利]一种量子点结构光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法，具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底，包括以下步骤：在介质层上形成二维材料层；在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液，形成量子点材料层；在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜，完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器，从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜，二维材料层上形成源电极和漏电极；二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场；透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压。本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益，使器件性能得到显著提升。

主权项

1.一种量子点结构光电探测器的制备方法，其特征在于，具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底，包括以下步骤：S1、将二维材料转移到所述介质层上，形成二维材料层；S2、在所述二维材料层上制作源电极和漏电极；S3、在所述二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液，形成与二维材料层接触的量子点材料层；S4、在所述量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜，完成器件制备。