[发明专利]一种薄膜沉积系统及控制方法有效
| 申请号： | 201810077393.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108396294B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 袁洁;何格;张旭;魏忠旭;金魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/28;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种薄膜沉积系统及控制方法，其中，所述薄膜沉积系统包括：薄膜沉积腔，用于进行薄膜制备；样品转移腔，用于提供样品转移的通道；抽真空装置，用于进行抽真空；真空管道，具有与薄膜沉积腔相连的第一端口、与样品转移腔相连的第二端口、以及与抽真空装置相连的第三端口，所述第一端口处设有第一阀门，所述第二端口处设有第二阀门；样品传送杆，安装在样品转移腔上，设置成可沿着样品转移腔、真空管道和薄膜沉积腔移动。本发明中的薄膜沉积系统不仅可以与各种类型的薄膜生长设备或薄膜测量设备连接，实现样品在高真空状态下薄膜生长或薄膜测量，还可以转移到需要的工作地点，使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 沉积 系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积系统，其中，所述薄膜沉积系统包括：薄膜沉积腔，用于进行薄膜制备；样品转移腔，用于提供样品转移的通道；抽真空装置，用于进行抽真空；真空管道，具有与薄膜沉积腔相连的第一端口、与样品转移腔相连的第二端口、以及与抽真空装置相连的第三端口，所述第一端口处设有第一阀门，所述第二端口处设有第二阀门；样品传送杆，安装在样品转移腔上，设置成可沿着样品转移腔、真空管道和薄膜沉积腔移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810077393.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
