[发明专利]新型CMOS结构的LDO线性稳压器在审

专利信息
申请号: 201810077224.0 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108052153A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 聂海;宋登明;王银 申请(专利权)人: 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 代理人: 韩晓银
地址: 610093 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种新型CMOS结构的LDO线性稳压器,包括:偏置电路模块、带隙基准源电路模块、误差放大器电路模块、比较器电路模块以及输出电路模块。本发明的新型CMOS结构的LDO线性稳压器,可在负电源电压下工作,功耗低,带宽恒定,系统瞬态响应能力强,可以实现自身固定‑5V输出,还可以采用外接反馈电阻实现可调输出。
搜索关键词: 新型 cmos 结构 ldo 线性 稳压器
【主权项】:
1.新型CMOS结构的LDO线性稳压器,其特征在于,包括:偏置电路模块、带隙基准源电路模块、误差放大器电路模块、比较器电路模块以及输出电路模块;所述偏置电路模块为后级电路提供合适的偏置电压;所述带隙基准源电路模块为后级电路提供稳定的电压并作为新型LDO的输入级;所述误差放大器电路模块,用于比较输出反馈取样信号与基准电压,并控制后级电路的工作状态,使输出保持稳定;所述比较器电路模块输出端与双掷开关相连,控制LDO的输出;所述输出电路模块,由功率调整管、双掷开关和负载共同构成。
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